| Los
transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales,
como el silicio o el germanio, dopados (es decir, se les han incrustado
pequeñas cantidades de materias extrañas), de manera
que se produce una abundancia o una carencia de electrones libres.
En el primer caso, se dice que el semiconductor
es del tipo n, y en el segundo que es del tipo p. Combinando materiales
del tipo n y del tipo p puede producirse un diodo. Cuando éste
se conecta a una batería de manera tal que el material
tipo p es positivo y el material tipo n es negativo, los electrones
son repelidos desde el terminal negativo de la batería
y pasan, sin ningún obstáculo, a la región
p, que carece de electrones. Con la batería invertida,
los electrones que llegan al material p pueden pasar sólo
con muchas dificultades hacia el material n, que ya está
lleno de electrones libres, en cuyo caso la corriente es casi
cero.
El transistor bipolar fue inventado en 1948 para
sustituir al tubo de vacío triodo. Está formado
por tres capas de material dopado, que forman dos uniones pn (bipolares)
con configuraciones pnp o npn. Una unión está conectada
a la batería para permitir el flujo de corriente (polarización
negativa frontal, o polarización directa), y la otra está
conectada a una batería en sentido contrario (polarización
inversa). Si se varía la corriente en la unión de
polarización directa mediante la adición de una
señal, la corriente de la unión de polarización
inversa del transistor variará en consecuencia. El principio
puede utilizarse para construir amplificadores en los que una
pequeña señal aplicada a la unión de polarización
directa provocará un gran cambio en la corriente de la
unión de polarización inversa.
Otro tipo de transistor es el de efecto de campo
(FET, acrónimo inglés de Field-Effect Transistor),
que funciona sobre la base del principio de repulsión o
de atracción de cargas debido a la superposición
de un campo eléctrico. La amplificación de la corriente
se consigue de manera similar al empleado en el control de rejilla
de un tubo de vacío. Los transistores de efecto de campo
funcionan de forma más eficaz que los bipolares, ya que
es posible controlar una señal grande con una cantidad
de energía muy pequeña.
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